Modélisation, caractérisation et mesures de circuits intégrés passifs RF

Résumé

Présentation de la conception de circuits intégrés ou hybrides hautes fréquences voire micro-ondes. Description des méthodes d'analyse numériques, de la méthode TLM (transmission Line Matrix), des circuits multi-échelles, de la caractérisation dans le domaine fréquentiel en haute fréquence et de la mesure dans le domaine temporel.

Contributeur(s)
- Saguet, Pierre. Éditeur scientifique
Éditeur(s)
- Hermès science publications
Date
- 2006
Notes
- Index
Langues
- Français
Description matérielle
- 248-IV p. : ill. ; 24 x 16 cm
Collections
- Traité EGEM
Sujet(s)
ISBN
- 2-7462-1497-0
Indice
- 621.45 Microélectronique (transistors, composants, circuits intégrés)
Quatrième de couverture
- Électronique et micro-électronique
  Le traité Electronique, Génie Electrique, Microsystèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissances, méthodes et outils nécessaires à la maîtrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support.
  Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants :
  
  Electronique et micro-électronique
  
  Optoélectronique
  
  Génie électrique
  
  Microsystèmes
  
  Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix.
  Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus.
Tables des matières
- - Modélisation, caractérisation et mesures de circuits intégrés passifs RF
  - Pierre Saguet
  - Hermes Science
  - Lavoisier
  - Introduction15
  - Chapitre 1. Méthodes d'analyse numérique pour les circuits passifs17
  - Pierre Saguet
  - 1.1. Introduction17
  - 1.2. La méthode des moments18
  - 1.2.1. Méthode générale18
  - 1.2.2. Choix des fonctions de base et des fonctions test19
  - 1.2.3. Exemple d'application21
  - 1.2.4. Conclusion23
  - 1.3. La méthode des éléments finis23
  - 1.3.1. Forme intégrale des équations aux dérivées partielles23
  - 1.3.2. Discrétisation des formes intégrales par la méthode de Galerkin25
  - 1.3.3. Décomposition en sous-domaines26
  - 1.3.4. Forme matricielle élémentaire27
  - 1.3.5. Discrétisation28
  - 1.3.6. Assemblage des matrices élémentaires et résolution du système30
  - 1.3.7. Exemple d'application31
  - 1.3.8. Conclusion34
  - 1.4. Les différences finies dans le domaine temporel (FDTD)35
  - 1.4.1. Principe de discrétisation35
  - 1.4.2. Le schéma de Yee37
  - 1.4.3. Conditions aux limites43
  - 1.4.3.1. Mur électrique43
  - 1.4.3.2. Interface diélectrique-diélectrique43
  - 1.4.4. Dispersion numérique45
  - 1.4.5. Stabilité numérique45
  - 1.5. Conclusion46
  - 1.6. Bibliographie46
  - Chapitre 2. Procédures de calcul de composants passifs avec la méthode TLM : application aux filtres coplanaires et aux antennes49
  - Michel Ney, Sandrick Le Maguer et Gaétan Prigent
  - 2.1. Introduction49
  - 2.2. Algorithme de base50
  - 2.3. Conditions aux limites54
  - 2.4. Conditions absorbantes (ABC)55
  - 2.5. Excitation57
  - 2.6. Calcul des paramètres de répartition57
  - 2.7. Procédures adaptées64
  - 2.7.1. Calcul des champs lointains64
  - 2.7.1.1. Antenne miniaturisée65
  - 2.7.2. Corps à symétrie de révolution67
  - 2.7.2.1. Antenne diélectrique69
  - 2.8. Conclusion70
  - 2.9. Bibliographie71
  - Chapitre 3. Circuits multi-échelles : utilisation des sources auxiliaires75
  - Henri Baudrand et Sidina Wane
  - 3.1. Introduction75
  - 3.2. Les différents types de sources en circuits planaires77
  - 3.2.1. Sources principales78
  - 3.2.1.1. Excitation d'un circuit par une onde incidente78
  - 3.2.1.2. Excitation d'un circuit par un fil très fin79
  - 3.2.1.3. Excitation unilatérale d'un circuit82
  - 3.2.2. Sources auxiliaires83
  - 3.2.3. Sources virtuelles91
  - 3.3. Utilisation des sources auxiliaires dans les circuits planaires93
  - 3.3.1. Modélisation d'une impédance localisée dans un circuit microbande94
  - 3.3.2. Eléments localisés équivalents96
  - 3.4. Conclusion100
  - 3.5. Annexes101
  - 3.5.1. Calcul d'une impédance en ligne microbande101
  - 3.6. Bibliographie108
  - Chapitre 4. Boîtiers pour circuits RF111
  - Jean Chilo
  - 4.1. Introduction111
  - 4.2. Modèle distribué et modèle localisé115
  - 4.2.1. Modèle distribué115
  - 4.2.2. Modèle localisé117
  - 4.3. Concept proposé119
  - 4.3.1. Principe de la méthode119
  - 4.3.2. Cellule électrique équivalente120
  - 4.3.3. Modèle électrique120
  - 4.4. Exemple de modélisation123
  - 4.4.1. Extraction des paramètres RLCG au sens de Maxwell123
  - 4.4.2. Détermination du modèle électrique au sens de Kirchhoff126
  - 4.5. Validations expérimentales128
  - 4.6. Comparaison des performances de quelques boîtiers plastiques132
  - 4.6.1. Insertion des boîtiers plastiques132
  - 4.6.2. Isolation des boîtiers plastiques136
  - 4.7. Conclusion138
  - 4.8. Bibliographie139
  - Chapitre 5. Caractérisation des dispositifs et circuits passifs intégrés radiofréquences141
  - Jean-Louis Carbonero
  - 5.1. Introduction141
  - 5.1.1. Les méthodes de mesures en RF applicables aux dispositifs passifs141
  - 5.2. Méthodes de mesure fréquentielle/temporelle142
  - 5.2.1. Méthodes de mesure dans le domaine temporel143
  - 5.2.2. Méthodes de mesure dans le domaine fréquentiel148
  - 5.2.2.1. Relations entre impédance, admittance, coefficient de réflexion et paramètres S et transformations des matrices de paramètres154
  - 5.2.2.2. Equations de transformation des paramètres S en paramètres T159
  - 5.2.2.3. Autres caractérisations nécessaires159
  - 5.3. La mesure de paramètres S160
  - 5.3.1. Outil de caractérisation des paramètres S160
  - 5.3.2. Type d'erreur de mesures de l'analyseur de réseaux161
  - 5.3.3. Modèles utilisés pour la correction des erreurs162
  - 5.3.3.1. Modèles pour la mesure de coefficients de réflexion163
  - 5.3.3.2. Modèles pour la mesure de quadripôles164
  - 5.3.3.3. Modèles pour la mesure de multipôles165
  - 5.3.3.4. Procédures de calibrage168
  - 5.3.3.5. Méthodes d'épluchage (de-embedding) des éléments parasites176
  - 5.3.3.6. Précision des mesures181
  - 5.3.3.7. Problèmes spécifiques pour les passifs182
  - 5.4. La caractérisation des dispositifs passifs (inductances, résistance, capacités, lignes, etc.)182
  - 5.4.1. Inductances183
  - 5.4.2. Capacités190
  - 5.4.3. Résistances193
  - 5.4.4. Dispositifs d'interconnexions utilisés194
  - 5.4.4.1. Plots195
  - 5.4.4.2. Lignes de transmission et interconnexions196
  - 5.5. Bibliographie199
  - Chapitre 6. Mesures dans le domaine temporel207
  - Fabien Ndagijimana
  - 6.1. Introduction : relations temps-fréquence207
  - 6.1.1. Quelques définitions208
  - 6.1.1.1. Mesures impulsionnelles208
  - 6.1.1.2. La réflectométrie temporelle208
  - 6.1.2. Vitesse et temps de propagation209
  - 6.1.3. Propagation dispersive210
  - 6.1.4. Temps de montée210
  - 6.2. Circuits localisés et circuits distribués211
  - 6.2.1. Réflexion et transmission de la tension212
  - 6.2.2. Mesure d'impédances caractéristiques avec un générateur d'impulsions215
  - 6.2.3. Mesure d'impédances avec un échelon217
  - 6.2.4. Cas d'impédances en cascade217
  - 6.2.5. Les tensions observables218
  - 6.2.6. Effets des réflexions multiples dans les circuits haut débit221
  - 6.2.7. Réflexion sur des charges réactives222
  - 6.2.8. Localisation et caractérisation de défauts223
  - 6.3. Extraction de schéma équivalent225
  - 6.3.1. Cas d'une discontinuité inductive227
  - 6.3.2. Cas d'une discontinuité capacitive229
  - 6.3.3. Cas d'une inductance série et d'une capacité parallèle230
  - 6.3.4. Discontinuités en cascade - Résolution spatiale232
  - 6.3.5. Cas de connecteurs inductifs233
  - 6.3.6. Cas de connecteurs capacitifs234
  - 6.4. Mesure de diaphonie dans les interconnexions235
  - 6.4.1. Diaphonie par couplage ponctuel235
  - 6.4.2. Diaphonie par couplage distribué237
  - 6.4.3. Mesure de ROS par réflectométrie242
  - 6.4.4. Mesure de paramètres S par une méthode temporelle243
  - 6.5. Bibliographie246
  - Index247
Origine de la notice:
- Electre