Dispositifs hyperfréquences actifs et passifs : dispositifs passifs réciproques et à ondes de surface

Auteur(s) :

Pasquet, Daniel Découvrir l'auteur

Résumé

Présentation des dispositifs hyperfréquences en trois parties : les circuits passifs réciproques (circuits imprimés et intégrés), les dispositifs à ondes élastiques de surface (utilisés en particulier dans le domaine des télécommunications) et les dispositifs actifs (les tubes).

Éditeur(s)
- Hermès science publications
Date
- 2005
Notes
- Index. Bibliogr.
Langues
- Français
Description matérielle
- 294-IV p. : ill. ; 24 cm
Collections
- Traité EGEM
Sujet(s)
- Dispositifs à micro-ondes
ISBN
- 2-7462-0957-8
Indice
- 621.51 Électronique, électromagnétisme
Quatrième de couverture
- Électronique et micro-électronique
  Le traité Electronique, Génie Electrique, Microsystèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissances, méthodes et outils nécessaires à la maîtrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support.
  Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants :
  
  Electronique et micro-électronique
  
  Optoélectronique
  
  Génie électrique
  
  Microsystèmes
  
  Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix.
  Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus.
Tables des matières
- - Dispositifs hyperfréquences actifs et passifs
  - dispositifs passifs réciproques et à ondes de surface
  - Daniel Pasquet
  - Hermes Science
  - Avant-propos13
  - Chapitre 1. Dispositifs passifs réciproques15
  - Bernard Huyart
  - 1.1. Introduction15
  - 1.2. Analyse de réseaux et modes de propagation pair et impair17
  - 1.2.1. Analyse de réseaux17
  - 1.2.1.1. Les matrices de transferts17
  - 1.2.1.2. Analogie entre les lignes de propagation et les inductances et les capacités localisées23
  - 1.2.1.3. Propriétés de la matrice [S]27
  - 1.2.1.4. Relations entre la matrice [S] et les autres matrices de transfert31
  - 1.2.1.5. Propriétés des réseaux à 3 et 4 portes35
  - 1.2.2. Analyse par les modes de propagation pair et impair45
  - 1.2.2.1. Paramètre S₁₁46
  - 1.2.2.2. Expression des autres paramètres48
  - 1.3. Le diviseur de Wilkinson49
  - 1.3.1. Calcul de la matrice [S] par les modes pair et impair50
  - 1.3.1.1. Mode pair51
  - 1.3.1.2. Mode impair52
  - 1.3.1.3. Bilan54
  - 1.3.2. Détermination de S₁₁54
  - 1.3.3. Valeurs de Z_c, 1, R55
  - 1.3.4. Variation des paramètres en fonction de la fréquence56
  - 1.3.4.1. S₁₁57
  - 1.3.4.2. S₂₂ et S₃₃58
  - 1.3.4.3. S₂₃58
  - 1.3.4.4. Diviseur compensé59
  - 1.3.5. Applications60
  - 1.4. Les coupleurs hybrides62
  - 1.4.1. Le coupleur en anneau 4 lambda/463
  - 1.4.1.1. Calcul des paramètres Sij64
  - 1.4.1.2. Calcul des dimensions du circuit68
  - 1.4.1.3. Bande Passante69
  - 1.4.1.4. Applications71
  - 1.4.2. L'anneau hybride 6 lambda/472
  - 1.4.2.1. Calcul des paramètres Sij73
  - 1.4.2.2. Bande passante78
  - 1.4.2.3. Applications81
  - 1.5. Les coupleurs à ligne parallèles83
  - 1.5.1. Théorie des lignes parallèles84
  - 1.5.1.1. Analyse par les modes de propagation pair et impair85
  - 1.5.1.2. Calcul des dimensions transversales des lignes couplées88
  - 1.5.2. Calcul des paramètres Sij de deux lignes parallèles90
  - 1.5.2.1. Matrice [S] d'un tronçon de ligne90
  - 1.5.2.2. Matrice [S] des lignes parallèles en mode pair92
  - 1.5.2.3. Matrice [S] des lignes parallèles en mode impair92
  - 1.5.2.4. Matrice [S] des lignes parallèles93
  - 1.5.2.5. Matrice [Z] des lignes parallèles95
  - 1.5.3. Application au coupleur directif96
  - 1.5.4. Bande passante du coupleur à lignes parallèles98
  - 1.5.4.1. Expression du couplage et de la directivité en fonction de K, thêta98
  - 1.5.4.2. Ondulation du couplage99
  - 1.5.4.3. Lignes inhomogènes101
  - 1.5.4.4. Coupleur large bande101
  - 1.5.5. Applications des lignes parallèles106
  - 1.5.5.1. Utilisation en octopôle106
  - 1.5.5.2. Utilisation en quadripôle107
  - 1.6. Les filtres hyperfréquences115
  - 1.6.1. Définitions116
  - 1.6.2. Théorie des filtres117
  - 1.6.2.1. Normalisation118
  - 1.6.2.2. Approximation du gabarit par un polynôme122
  - 1.6.2.3. Schéma électrique du filtre prototype passe bas124
  - 1.6.2.4. Dénormalisation128
  - 1.6.2.5. Application aux filtres passe bas en technologie micro ruban132
  - 1.6.3. La technologie micro-onde134
  - 1.6.3.1. Transformation de Richard134
  - 1.6.3.2. Identités de Kuroda135
  - 1.6.3.3. Application à la réalisation du filtre passe bas136
  - 1.6.3.4. Analogie des circuits résonnants par des lignes de courtes longueurs139
  - 1.6.3.5. Analogie des circuits résonnants par des lignes de longueur lambda/2141
  - 1.6.3.6. Transformation par inversion d'impédance ou d'admittance143
  - 1.6.3.7. Application à la conception d'un filtre passe bande à lignes parallèles146
  - 1.6.3.8. Application à la conception d'un filtre à cavités résonnantes150
  - 1.6.3.9. Application à la conception d'un filtre passe bande à lignes couplées capacitivement151
  - 1.7. Conclusion151
  - 1.8. Bibliographie152
  - Chapitre 2. Dispositifs à ondes élastiques de surface153
  - Pierre Hartemann
  - 2.1. Introduction153
  - 2.2. Propriétés physiques fondamentales des ondes élastiques de surface154
  - 2.2.1. Vitesses de propagation des ondes élastiques155
  - 2.2.2. Coefficient de couplage électromécanique157
  - 2.2.3. Pertes de propagation161
  - 2.2.4. Ondes élastiques de surface différentes des ondes de Rayleigh162
  - 2.2.5. Exemples de caractéristiques de substrats piézoélectriques163
  - 2.3. Transducteurs à électrodes digitées165
  - 2.3.1. Principe de fonctionnement165
  - 2.3.2. Effets secondaires167
  - 2.3.2.1. L'émission d'ondes élastiques de volume167
  - 2.3.2.2. La diffraction des ondes de Rayleigh168
  - 2.3.2.3. La variation de la vitesse de propagation des ondes de Rayleigh168
  - 2.3.2.4. La réémission d'ondes de Rayleigh169
  - 2.3.2.5. Le couplage électromagnétique entre les transducteurs émetteur et récepteur170
  - 2.3.2.6. La non-uniformité du potentiel effectivement appliqué sur les doigts170
  - 2.3.3. Admittance de rayonnement170
  - 2.3.4. Echo à triple parcours173
  - 2.3.5. Transducteurs unidirectionnels175
  - 2.4. Résonateurs179
  - 2.5. Dispositifs188
  - 2.5.1. Principaux dispositifs peu ou plus fabriqués industriellement189
  - 2.5.1.1. Lignes à retard189
  - 2.5.1.2. Filtres adaptés à un signal189
  - 2.5.1.3. Filtres passe-bandes de type transversal195
  - 2.5.1.4. Convoluteurs196
  - 2.5.1.5. Oscillateurs198
  - 2.5.2. Dispositifs en production massive pour le grand public203
  - 2.5.2.1. Filtres pour téléviseurs et magnétoscopes204
  - 2.5.2.2. Filtres pour les télécommunications mobiles207
  - 2.6. Conclusion223
  - 2.7. Bibliographie225
  - Chapitre 3. Les tubes229
  - Georges Faillon
  - 3.1. Notions générales et applications229
  - 3.2. Principes de base et définitions231
  - 3.3. Tubes à grilles235
  - 3.3.1. Principe de fonctionnement - Triode235
  - 3.3.2. Comportement en hautes fréquences238
  - 3.3.3. Tétrodes239
  - 3.3.4. Diacrodes239
  - 3.3.5. IOT (inductive output tube)240
  - 3.4. Klystrons242
  - 3.4.1. Généralités242
  - 3.4.2. Interaction dans un klystron : modulations et extraction de l'énergie HF242
  - 3.4.3. Courant I_f(z,t) de modulation dans le premier glissement et action de la deuxième cavité245
  - 3.4.4. Courant induit dans la deuxième cavité247
  - 3.4.5. Beam Loading248
  - 3.4.6. Schéma équivalent d'une cavité249
  - 3.4.7. De la deuxième cavité à celle de sortie249
  - 3.4.8. Charge d'espace250
  - 3.4.9. Puissance de sortie250
  - 3.4.10. Caractéristiques de sortie252
  - 3.4.11. Technologies klystrons252
  - 3.4.12. Klystrons multifaisceaux (MBK)254
  - 3.5. Tubes à ondes progressives (TOP)256
  - 3.5.1. Généralités256
  - 3.5.2. Principe de fonctionnement256
  - 3.5.3. Diagramme de Brillouin oméga-bêta259
  - 3.5.4. Relation de propagation261
  - 3.5.5. Grands signaux264
  - 3.5.6. Tapers et atténuations266
  - 3.5.7. Technologies des tubes à ondes progressives267
  - 3.6. Magnétrons269
  - 3.6.1. Généralités269
  - 3.6.2. Circuit hyperfréquence269
  - 3.6.3. Interaction270
  - 3.7. Gyrotrons274
  - 3.8. Programmes d'interaction pour klystrons et TOP278
  - 3.8.1. Les équations du problème278
  - 3.8.2. Processus global de résolution278
  - 3.8.3. Discrétisation des équations de Maxwell279
  - 3.8.4. Eléments finis279
  - 3.8.5. Schémas équivalents279
  - 3.8.6. Discrétisation du faisceau280
  - 3.9. Technologies-clés280
  - 3.9.1. Canons à électrons280
  - 3.9.2. Focalisation des faisceaux d'électrons (cas surtout des klystrons et TOP)282
  - 3.9.3. Cathodes285
  - 3.9.4. Canons à grille(s)287
  - 3.9.5. Fenêtres288
  - 3.9.6. Collecteurs déprimés290
  - 3.9.7. Durée de vie292
  - 3.10. Conclusion293
  - 3.11. Bibliographie295
Origine de la notice:
- BPI